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村田的高密度硅电容器，通过应用半导体的MOS工艺实现三维化，大幅增加电容器表面积，从而提高了基板单位面积的静电容量。
适合的市场细分
网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。
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支持100GHz+的表面封装硅电容器
超宽带表面贴装型差分硅电容器对组
26GHz+対応 支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器
100μm対応 可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器
医疗用硅电容器
最高工作温度200℃的汽车用硅电容器
汽车应用 支持汽车引线键合的上下电极硅电容器
最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器
支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器
最高工作温度250℃的硅电容器
可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器
最高工作温度250℃的引线键合用硅电容器
高稳定性高可靠性硅电容器
可薄至100μm的硅电容器
本公司提供适用于各类安装的产品系列。 有关各产品的安装方法，请查看装配图。
村田依靠引领世界的技术，极为灵活地将High-Q电感、电阻、平面MIM电容器、巴伦用沟槽MOS电容器、PLL环路滤波器、低通滤波器、RC滤波器、馈线去藕装置等各种被动元件组合起来，提供给客户。
此项技术也提供利用与MOS半导体完全兼容的后工序技术集成被动元件的平台，并且可以应用于SIP，利用其他技术（CMOS和MEMS等）进行多片模块和倒装片的异质集成。
可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。